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datasheet pleasereadtheimportantnoticeandwarningsattheendofthisdocument v3.0 www.infineon.com 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 easypim?modulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolled4diodeundpressfit/ntc/tim easypim?modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled4diodeandpressfit/ntc/tim v ces = 1200v i c nom = 15a / i crm = 30a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hilfsumrichter auxiliaryinverters ? ? klimaanlagen airconditioning ? ? motorantriebe motordrives elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? niedrigesv cesat lowv cesat ? ? trenchigbt4 trenchigbt4 ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? al 2 o 3 substrat mit kleinem thermischen widerstand al 2 o 3 substratewithlowthermalresistance ? ? kompaktesdesign compactdesign ? ? pressfitverbindungstechnik pressfitcontacttechnology ? ? robuste montage durch integrierte befestigungsklammern rugged mounting due to integrated mounting clamps ? ? thermisches interface material bereits aufgetragen pre-appliedthermalinterfacematerial modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
datasheet 2 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t h = 100c, t vj max = 175c i c nom 15 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,48 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,20 5,80 6,40 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,12 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 0,89 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,03 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 39 w t d on 0,055 0,055 0,055 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 39 w t r 0,059 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 39 w t d off 0,195 0,275 0,28 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 39 w t f 0,145 0,19 0,215 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, di/dt = 550 a/s (t vj = 150c) r gon = 39 w e on 1,30 1,75 1,95 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, du/dt = 3500 v/s (t vj = 150c) r goff = 39 w e off 0,83 1,20 1,35 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 55 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink proigbt/perigbt validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 1,64 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
datasheet 3 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 15 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 30 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 16,0 14,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v v f 2,00 2,10 2,10 2,65 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 13,0 12,0 12,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 1,20 2,05 2,40 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 0,37 0,68 0,80 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 2,48 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t h = 100c i frmsm 30 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t h = 100c i rmsm 30 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm 300 245 a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 450 300 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 15 a v f 0,85 v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r 1,00 ma w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 1,49 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
datasheet 4 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t h = 100c, t vj max = 175c i c nom 15 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,48 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,20 5,80 6,40 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,12 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 0,89 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,03 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 43 w t d on 0,065 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 43 w t r 0,06 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 43 w t d off 0,21 0,28 0,285 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 43 w t f 0,17 0,20 0,225 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, di/dt = 550 a/s (t vj = 150c) r gon = 43 w e on 1,35 1,80 2,00 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, du/dt = 3500 v/s (t vj = 150c) r goff = 43 w e off 0,85 1,20 1,35 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 55 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink proigbt/perigbt validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 1,64 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
datasheet 5 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 10 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 20 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 16,0 14,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 10 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v i rm 12,0 10,0 8,00 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 10 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v q r 0,90 1,70 1,90 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 10 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v e rec 0,24 0,52 0,59 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 2,48 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t ntc = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t ntc = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t ntc = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
datasheet 6 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol 2,5 kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) ai 2 0 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 30 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t h =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 8,00 6,00 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c h?chstzul?ssige bodenplattenbetriebstemperatur maximumbaseplateoperationtemperature t bpmax 125 c anpresskraft fr mech. bef. pro feder mountig force per clamp f 20 - 50 n gewicht weight g 24 g der strom im dauerbetrieb ist auf 25a effektiv pro anschlusspin begrenzt. the current under continuous operation is limited to 25a rms per connector pin. lagerung und transport von modulen mit tim => siehe an2012-07 storage and shipment of modules with tim => see an2012-07
datasheet 7 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 v ge = 19 v v ge = 17 v v ge = 15 v v ge = 13 v v ge = 11 v v ge = 9 v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =39 w ,r goff =39 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0 1 2 3 4 5 6 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
datasheet 8 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =15a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,1296 0,0006835 2 0,211 0,007886 3 0,4887 0,0475 4 0,8107 0,123 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =39 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
datasheet 9 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =39 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =15a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,2857 0,0006081 2 0,3232 0,00462 3 0,7911 0,02473 4 1,08 0,09834 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 150c
datasheet 10 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t ntc [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
datasheet 11 v3.0 2017-05-04 fp15r12w1t4p_b11 schaltplan/circuitdiagram geh?useabmessungen/packageoutlines j infineon
trademarksofinfineontechnologiesag hvic?,ipm?,pfc?,au-convertir?,aurix?,c166?,canpak?,cipos?,cipurse?,cooldp?,coolgan?,coolir?, coolmos?,coolset?,coolsic?,dave?,di-pol?,directfet?,drblade?,easypim?,econobridge?,econodual?, econopack?,econopim?,eicedriver?,eupec?,fcos?,ganpowir?,hexfet?,hitfet?,hybridpack?,imotion?, iram?,isoface?,isopack?,ledrivir?,litix?,mipaq?,modstack?,my-d?,novalithic?,optiga?,optimos?, origa?,powiraudio?,powirstage?,primepack?,primestack?,profet?,pro-sil?,rasic?,real3?,smartlewis?, solidflash?,spoc?,strongirfet?,supirbuck?,tempfet?,trenchstop?,tricore?,uhvic?,xhp?,xmc? trademarksupdatednovember2015 othertrademarks allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. edition2017-05-04 publishedby infineontechnologiesag 81726mnchen,germany ?2017infineontechnologiesag. allrightsreserved. doyouhaveaquestionaboutthisdocument? email:erratum@infineon.com wichtigerhinweis dieindiesemdokumententhaltenenangabenstellenkeinesfallsgarantienfrdiebeschaffenheitodereigenschaftendesproduktes (beschaffenheitsgarantie)dar.frbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegew?hrleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschlie?lich,ohnehieraufbeschr?nktzusein,diegew?hrdafr,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. desweiterenstehens?mtliche,indiesemdokumententhalteneninformationen,unterdemvorbehaltdereinhaltungderindiesem dokumentfestgelegtenverpflichtungendeskundensowieallerimhinblickaufdasproduktdeskundensowiedienutzungdesinfineon produktesindenanwendungendeskundenanwendbarengesetzlichenanforderungen,normenundstandardsdurchdenkunden. dieindiesemdokumententhaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilungder eignungdiesesproduktesfrdiebeabsichtigteanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderindiesemdokumententhaltenen produktdatenfrdieseanwendungobliegtdentechnischenfachabteilungendeskunden. solltensievonunsweitereinformationenimzusammenhangmitdemprodukt,dertechnologie,lieferbedingungenbzw.preisen ben?tigen,wendensiesichbitteandasn?chstevertriebsbrovoninfineontechnologies(www.infineon.com). warnhinweis aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnenproduktegesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beifragenzudenindiesem produktenthaltenensubstanzen,setzensiesichbittemitdemn?chstenvertriebsbrovoninfineontechnologiesinverbindung. soferninfineontechnologiesnichtausdrcklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigteninfineonmitarbeiternunterzeichneten dokumentzugestimmthat,drfenproduktevoninfineontechnologiesnichtinanwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernnftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu personenverletzungenfhren. importantnotice theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (beschaffenheitsgarantie).withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomerscompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomersproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomersapplications. thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.itistheresponsibilityofcustomerstechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestinfineon technologiesoffice(www.infineon.com). warnings duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. exceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyinfineontechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofinfineon technologies,infineontechnologiesproductsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury. j infineon

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